最全面的AMIBIOS设置(9)

zhaodll · 发表于 2014-12-5 16:08:16

　2、SDRAM RAS Precharge Time（SDRAM RAS预充电时间）
　　选项：2、3
　　在SDRAM刷新之前，RAS所需的预充电周期数目，减少时间能够提高性能，反之则降低性能。如果你的内存速度够快，尽量使用"2"。在超频的时候，选择"3"会让系统更稳定，增加OC成功率。
　　3、SDRAM CAS Latency Time/SDRAM Cycle Length（SDRAM CAS等待时间/SDRAM周期长度）
　　选项：2、3
　　控制SDRAM在读取或写入之前的时间，单位是CLK（Clock Cycle，时钟周期），减少等待时间能够增加突发传输的性能。如果你的内存速度够快，尽量使用"2"。在超频的时候，选择"3 "会让系统更稳定，增加OC成功率。
　　4、SDRAM Leadoff Command（SDRAM初始命令）
　　选项：3、4
　　调节数据存储在SDRAM之前所需的初始化时间，它会影响到突发传输时的第一个数据。如果你的内存速度够快，尽量使用"3" 。在超频的时候，选择"4"会让系统更稳定，增加OC成功率。
　　5、SDRAM Bank Interlee（SDRAM组交错）
　　选项：2-Bank、4-Bank，Disabled
　　调整SDRAM的交错模式，让不同组的SDRAM轮流删新和存取，当第一组进行删新时，第二组做存取工作，能够大大提高多组内存协同工作时的性能。
　　每一个DIMM（Dual In-line Memory Modules，双重内嵌式内存模块）由2组或4组构成，2组SDRAM DIMM使用32Mbit或16Mbit等小容量芯片，4组SDRAM DIMM使用64Mbit或256Mbit等大容量芯片。如果你用的是单条2组SDRAM模块，设置为"2-Bank"，若是4 组SDRAM模块，可设置为"2-Bank"或"4-Bank"。当然，4组SDRAM比2组SDRAM要好。另外，Phoen ix Technologies的Award BIOS会在采用16Mbit SDRAM时自动关闭交错存取。

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