cmos与内存设置的技术
CMOS中关于内存的设置比较多，但不少选项是比较专业的，因此，如果设置后出现问题，请选择“LOAD
BIOS DEFAULTS”，恢复可靠的设置参数。下面逐条说明相关内存设置。
Above 1MB Memory
Test：设置开机自检时是否检测1M以上内存。该选项已经在新的BIOS中被淘汰。由于内存价格暴跌，电脑用户安装内存容量陡然增加，开机时的大容量内存自检时间太长，今后，即使一遍的内存检测可能也会出现允许/禁止开关。
Auto
Configuration：设置为允许时，BIOS按照最佳状态设置。BIOS可以自动设置内存定时，因此会禁止一些对内存设置的修改，建议选择允许方式。
Memory Test Tick Sound：是否发出内存自检的滴嗒声。如果您闲它烦，可以关闭它们。
Memory Parity Error
Check：设置是否要设置内存奇偶校验。多在30线内存条使用时代，已经被淘汰。但把非奇偶校验内存强行进行奇偶校验设置会使电脑无法开机。
Controller：是否使用高速缓存。不在流行的Award BIOS中使用。
Shadow RAM
Option：设置系统BIOS或显示卡BIOS是否映射到常规内存中。可以加快速度，但也可能造成死机。
Internal Cace
Memory：是否使用CPU内部缓存（一级缓存）。可以提高系统性能。
External Cace
Memory：是否使用CPU外部缓存（主板上的二级缓存）。可以提高系统性能。AMD新的具有两级缓存的CPU的出现，使主板上的二级缓存退居成三级缓存。
Concurrent
Refresh：直译是同时发生的刷新。设置CPU在对其它I/O操作时对内存同时刷新，可以提高系统性能。
DRAM Read Wait
State：设置CPU从内存读数据时的等待时钟周期。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。
DRAM Write Wait
State：设置CPU向内存写数据时的等待时钟周期。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。
Slow
Refresh：对质量好的内存，保持数据的时间比较长，可以设置更长的时间周期，从而提高系统性能。
Shadow Cachecable：把映射到常规内存的BIOS
ROM增加高速缓存，使性能更进一步。
Page Mode：使内存工作于Page Mode或Page
Interleaved模式。
RAS Timeout Counter：使Page Mode或Page
Interleaved模式的工作速度更快。因为有可能会超过内存RAS周期，因此采用计数器来监视RAS周期，一旦超过RAS周期，则将周期
自动复位为0。
Memory
Relocation：内存重新定位。即将384的上位内存（Upper Memory
Block）数据转储到1MB以上的扩展内存中。
Memory
Hole：有人称作内存孔洞。把内存地址15MB-16MB的区域留给一些特殊的ISA扩展卡使用，可以加速该卡工作速度或避免冲突。一般被设置成禁止，除非ISA扩展卡有专门的说明。
DRMA Timing
Setting：快页内存或EDO内存速度设置，通常是60ns或70ns选择，对10ns或更快的SDRAM内存无效。
Fast MA to RAS Delay：设置内存地址（Memory
Address）到内存行地址触发信号（RAS）之间的延迟时间。
DRAM Write Brust Timing：CPU把数据写如高速缓存后，再写如内存的延迟时间。
Fast RAS To CAS
Delay：行地址触发信号到列地址触发信号之间的延迟时间。通常是RAS#下降到CAS#下降之间的时间。
DRAM Lead-Off Timing：CPU读/写内存前的时间。
DRAM Speculative
Read：设置成允许时，读内存的时间比正常时间提前一个时间周期，可以提高系统性能。
DRAM Data Integrity
Mode：选择内存校验方式是Parity或ECC。
Refres RAS
Assertion：设置内存的行地址刷新时间周期，对质量好的内存可以延迟刷新，从而提高系统性能。
RAS Recharge Period：内存行地址信号预先充电所需要的时间。
Fast EDO Pat
Select：设置选择对EDO内存读/写的快速途径，可以提高系统性能。
SDRAM RAS Latency：设置SDRAM内存的行地址触发到列地址触发的时间延迟。
SDRAM RAS Timing：设置系统对SDRAM内存的行地址触发时间，也即刷新时间。
Peer Concurrency：为提高系统并行，使CPU对高速缓存或内存或PCI设备，或PCI的主控信号对PCI外围设备等等操作同时进行。系统智能越高，同CPU并行的操作越多，性能提高越多。
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